STL86N3LLH6AG-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
STL86N3LLH6AG-HXY
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至4.3毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 其较低的导通电阻有助于减小导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持较好的热性能。 适用于高效电源转换、电池供电系统以及需要频繁开关操作的电子装置中， 能够支持稳定可靠的功率控制与能量传输。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
STL86N3LLH6AG-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
STL86N3LLH6AG-HXY概述
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至4.3毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 其较低的导通电阻有助于减小导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持较好的热性能。 适用于高效电源转换、电池供电系统以及需要频繁开关操作的电子装置中， 能够支持稳定可靠的功率控制与能量传输。
STL86N3LLH6AG-HXY特性
暂无产品特性。
STL86N3LLH6AG-HXY应用领域
暂无应用领域。