STL76DN4LF7AG
IC
PowerVDFN-8
可供量大可议
STL76DN4LF7AG
这款双N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术， 其沟槽栅极结构经过优化， 可实现极低的导通电阻， 同时降低内部电容和栅极电荷， 从而实现更快、更高效的开关操作。
品牌
ST
封装
PowerVDFN-8
库存
3,044
货期
现货
STL76DN4LF7AG参数
| 封装 | PowerVDFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3044 |
STL76DN4LF7AG概述
这款双N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术， 其沟槽栅极结构经过优化， 可实现极低的导通电阻， 同时降低内部电容和栅极电荷， 从而实现更快、更高效的开关操作。
STL76DN4LF7AG特性
暂无产品特性。
STL76DN4LF7AG应用领域
暂无应用领域。