STL6P3LLH6-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
STL6P3LLH6-MS
此款STL6P3LLH6-MS场效应管采用1个P沟道设计, 采用 DFN3X3-8L 小型封装， 精准匹配高集成度与节能设计需求； 30V 电压额定值（VDSS）搭配 25A 连续漏极电流（ID）， 保障强大且稳定的电流处理能力， 而 16mΩ 超低导通电阻（RD (on)）是其核心优势， 能显著降低系统损耗、提升整体能效。 器件广泛适配电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域， 是构建高效绿色电子产品的理想选择。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
576
货期
现货
STL6P3LLH6-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 576 |
STL6P3LLH6-MS概述
此款STL6P3LLH6-MS场效应管采用1个P沟道设计, 采用 DFN3X3-8L 小型封装， 精准匹配高集成度与节能设计需求； 30V 电压额定值（VDSS）搭配 25A 连续漏极电流（ID）， 保障强大且稳定的电流处理能力， 而 16mΩ 超低导通电阻（RD (on)）是其核心优势， 能显著降低系统损耗、提升整体能效。 器件广泛适配电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域， 是构建高效绿色电子产品的理想选择。
STL6P3LLH6-MS特性
暂无产品特性。
STL6P3LLH6-MS应用领域
暂无应用领域。