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STL6P3LLH6-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

STL6P3LLH6-HXY

STL6P3LLH6 是一款高性能P沟道MOSFET, 采用小型DFN3X3-8L封装, 专为高集成度和节能设计而生。 该器件具备30V的电压额定值VDSS, 可支持高达25A的连续漏极电流ID, 确保强大稳定的电流处理能力。 其独特优势在于16mΩ的超低导通电阻RD(on), 有助于显著降低系统损耗, 提升整体能效。 广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, STL6P3LLH6 MOS管是您构建高效绿色电子产品的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

82

货期

现货

STL6P3LLH6-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存82

STL6P3LLH6-HXY概述

STL6P3LLH6 是一款高性能P沟道MOSFET, 采用小型DFN3X3-8L封装, 专为高集成度和节能设计而生。 该器件具备30V的电压额定值VDSS, 可支持高达25A的连续漏极电流ID, 确保强大稳定的电流处理能力。 其独特优势在于16mΩ的超低导通电阻RD(on), 有助于显著降低系统损耗, 提升整体能效。 广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, STL6P3LLH6 MOS管是您构建高效绿色电子产品的理想选择。

STL6P3LLH6-HXY特性

暂无产品特性。

STL6P3LLH6-HXY应用领域

暂无应用领域。

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