STL6P3LLH6-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
STL6P3LLH6-HXY
STL6P3LLH6 是一款高性能P沟道MOSFET, 采用小型DFN3X3-8L封装, 专为高集成度和节能设计而生。 该器件具备30V的电压额定值VDSS, 可支持高达25A的连续漏极电流ID, 确保强大稳定的电流处理能力。 其独特优势在于16mΩ的超低导通电阻RD(on), 有助于显著降低系统损耗, 提升整体能效。 广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, STL6P3LLH6 MOS管是您构建高效绿色电子产品的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
82
货期
现货
STL6P3LLH6-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 82 |
STL6P3LLH6-HXY概述
STL6P3LLH6 是一款高性能P沟道MOSFET, 采用小型DFN3X3-8L封装, 专为高集成度和节能设计而生。 该器件具备30V的电压额定值VDSS, 可支持高达25A的连续漏极电流ID, 确保强大稳定的电流处理能力。 其独特优势在于16mΩ的超低导通电阻RD(on), 有助于显著降低系统损耗, 提升整体能效。 广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, STL6P3LLH6 MOS管是您构建高效绿色电子产品的理想选择。
STL6P3LLH6-HXY特性
暂无产品特性。
STL6P3LLH6-HXY应用领域
暂无应用领域。
