STL66N3LLH5-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为4.3毫欧， 栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。 其超低导通电阻有效降低导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。 适用于对效率和功率密度要求较高的开关电源、直流-直流转换模块以及便携式高功率电子设备中的同步整流与负载开关等场景。