STL60N3LLH5-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗和温升， 适用于高效开关电源、电池管理系统及各类中低压功率转换电路。 器件在高频开关条件下仍能保持稳定性能， 适合对能效和热管理有较高要求的电子设备。