STL58N3LLH5-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为6.5毫欧。 其低导通电阻有助于降低导通损耗， 提升整体能效， 适用于高电流开关电源、电池管理系统、电动工具驱动以及各类需要高效功率切换的电子设备中。 器件支持快速开关操作， 适合对热性能和效率有较高要求的应用场合。