STL3N10F7
IC
WDFN-6-Power
可供量大可议
STL3N10F7
N沟道100 V、0.062 Ohm典型值、4 A STripFET F7功率MOSFET， PowerFLAT 2x2封装
品牌
ST
封装
WDFN-6-Power
库存
107
货期
现货
STL3N10F7参数
| 封装 | WDFN-6-Power |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 107 |
STL3N10F7概述
N沟道100 V、0.062 Ohm典型值、4 A STripFET F7功率MOSFET， PowerFLAT 2x2封装
STL3N10F7特性
暂无产品特性。
STL3N10F7应用领域
暂无应用领域。