STL38N65M5-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
STL38N65M5-HXY
该碳化硅场效应管为N沟道结构， 最大漏极电流ID为37A， 漏源击穿电压VDSS达650V， 导通电阻RDS(ON)为94mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件基于碳化硅材料， 具备高耐压、低导通损耗及优异的高频特性， 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统， 可在高开关频率下保持较低的热损耗， 提升整体能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
9
货期
现货
STL38N65M5-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
STL38N65M5-HXY概述
该碳化硅场效应管为N沟道结构， 最大漏极电流ID为37A， 漏源击穿电压VDSS达650V， 导通电阻RDS(ON)为94mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件基于碳化硅材料， 具备高耐压、低导通损耗及优异的高频特性， 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统， 可在高开关频率下保持较低的热损耗， 提升整体能效表现。
STL38N65M5-HXY特性
暂无产品特性。
STL38N65M5-HXY应用领域
暂无应用领域。