STL34N65M5-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
STL34N65M5-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压， 导通电阻为94mΩ， 在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。 器件利用碳化硅材料特性， 在高频、高效率电力转换场景中展现出优异的开关性能与热稳定性， 适用于对能效和功率密度有较高要求的电源系统， 如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
3
货期
现货
STL34N65M5-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
STL34N65M5-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压， 导通电阻为94mΩ， 在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。 器件利用碳化硅材料特性， 在高频、高效率电力转换场景中展现出优异的开关性能与热稳定性， 适用于对能效和功率密度有较高要求的电源系统， 如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等应用场合。
STL34N65M5-HXY特性
暂无产品特性。
STL34N65M5-HXY应用领域
暂无应用领域。