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STL325N4LF8AG
IC

PowerFLAT(5x6)

可供量大可议

STL325N4LF8AG

汽车 N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.75 mOhm、373 A STripFET F8 功率 MOSFET, 采用 PowerFLAT 5x6

品牌

ST

封装

PowerFLAT(5x6)

库存

2

货期

现货

STL325N4LF8AG参数

封装PowerFLAT(5x6)
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2

STL325N4LF8AG概述

汽车 N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.75 mOhm、373 A STripFET F8 功率 MOSFET, 采用 PowerFLAT 5x6

STL325N4LF8AG特性

暂无产品特性。

STL325N4LF8AG应用领域

暂无应用领域。

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