STL325N4F8AG
IC
PowerFLAT5x6
可供量大可议
STL325N4F8AG
是一款采用STripFET F8技术设计的40V N沟道增强型功率MOSFET, 具有增强型沟槽栅极结构。 它确保了极低导通电阻的先进品质因数, 同时降低内部电容和栅极电荷, 实现更快、更高效的开关。
品牌
ST
封装
PowerFLAT5x6
库存
20
货期
现货
STL325N4F8AG参数
| 封装 | PowerFLAT5x6 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
STL325N4F8AG概述
是一款采用STripFET F8技术设计的40V N沟道增强型功率MOSFET, 具有增强型沟槽栅极结构。 它确保了极低导通电阻的先进品质因数, 同时降低内部电容和栅极电荷, 实现更快、更高效的开关。
STL325N4F8AG特性
暂无产品特性。
STL325N4F8AG应用领域
暂无应用领域。
