STL19N60M2
IC
VDFN-8
可供量大可议
STL19N60M2
N沟道600 V、0.278 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET， PowerFLAT 8x8 HV封装
品牌
ST
封装
VDFN-8
库存
14
货期
现货
STL19N60M2参数
| 封装 | VDFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14 |
STL19N60M2概述
N沟道600 V、0.278 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET， PowerFLAT 8x8 HV封装
STL19N60M2特性
暂无产品特性。
STL19N60M2应用领域
暂无应用领域。