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STL18N60M2
IC

VDFN-8-Power

可供量大可议

STL18N60M2

N沟道600 V、0.278 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET, PowerFLAT 5x6 HV封装

品牌

ST

封装

VDFN-8-Power

库存

100

货期

现货

STL18N60M2参数

封装VDFN-8-Power
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存100

STL18N60M2概述

N沟道600 V、0.278 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET, PowerFLAT 5x6 HV封装

STL18N60M2特性

暂无产品特性。

STL18N60M2应用领域

暂无应用领域。

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