STL165N4F8AG
IC
PowerFLAT-8(5x6)
可供量大可议
STL165N4F8AG
STL165N4F8AG 是一款采用 STripFET F8 技术设计的 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET, 具有改进的沟槽栅极结构。 它在实现极低导通电阻的同时, 还能降低内部电容和栅极电荷, 确保了卓越的品质因数, 从而实现更快、更高效的开关性能。
品牌
ST
封装
PowerFLAT-8(5x6)
库存
10
货期
现货
STL165N4F8AG参数
| 封装 | PowerFLAT-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
STL165N4F8AG概述
STL165N4F8AG 是一款采用 STripFET F8 技术设计的 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET, 具有改进的沟槽栅极结构。 它在实现极低导通电阻的同时, 还能降低内部电容和栅极电荷, 确保了卓越的品质因数, 从而实现更快、更高效的开关性能。
STL165N4F8AG特性
暂无产品特性。
STL165N4F8AG应用领域
暂无应用领域。
