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STL165N4F8AG
IC

PowerFLAT-8(5x6)

可供量大可议

STL165N4F8AG

STL165N4F8AG 是一款采用 STripFET F8 技术设计的 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET, 具有改进的沟槽栅极结构。 它在实现极低导通电阻的同时, 还能降低内部电容和栅极电荷, 确保了卓越的品质因数, 从而实现更快、更高效的开关性能。

品牌

ST

封装

PowerFLAT-8(5x6)

库存

10

货期

现货

STL165N4F8AG参数

封装PowerFLAT-8(5x6)
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

STL165N4F8AG概述

STL165N4F8AG 是一款采用 STripFET F8 技术设计的 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET, 具有改进的沟槽栅极结构。 它在实现极低导通电阻的同时, 还能降低内部电容和栅极电荷, 确保了卓越的品质因数, 从而实现更快、更高效的开关性能。

STL165N4F8AG特性

暂无产品特性。

STL165N4F8AG应用领域

暂无应用领域。

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