STL15N3LLH5-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
STL15N3LLH5-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其较低的导通电阻有助于减小导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 器件适用于对电流承载能力和开关性能有较高要求的电源管理、电池供电设备及高效能电子系统中的功率控制环节。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
98
货期
现货
STL15N3LLH5-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
STL15N3LLH5-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其较低的导通电阻有助于减小导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 器件适用于对电流承载能力和开关性能有较高要求的电源管理、电池供电设备及高效能电子系统中的功率控制环节。
STL15N3LLH5-HXY特性
暂无产品特性。
STL15N3LLH5-HXY应用领域
暂无应用领域。