STL140N6F7-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具备较高的电流承载能力， 持续漏极电流ID可达125A， 漏源电压VDSS为60V， 适用于中高功率应用场景。 导通电阻RDON低至2.4mΩ， 有助于降低导通损耗， 提高系统效率。 器件采用成熟工艺制造， 具有良好的热稳定性和可靠性， 适用于电源管理、开关电路、电机控制及高效同步整流等场景， 为多种高性能电子设备提供稳定支持。