STL13N65M2-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
STL13N65M2-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有13A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压， 导通电阻为260mΩ， 在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高温性能与开关特性， 适用于高效率、高频率的电源转换场景。 其低导通损耗和快速开关能力有助于提升系统整体能效， 适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子装置中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
1
货期
现货
STL13N65M2-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
STL13N65M2-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有13A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压， 导通电阻为260mΩ， 在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高温性能与开关特性， 适用于高效率、高频率的电源转换场景。 其低导通损耗和快速开关能力有助于提升系统整体能效， 适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子装置中。
STL13N65M2-HXY特性
暂无产品特性。
STL13N65M2-HXY应用领域
暂无应用领域。