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STL130N6F7
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IC

PowerFLAT-5x6

STL130N6F7

场效应管(MOSFET) 4.8W; 125W 60V 130A 1个N沟道

品牌

ST

封装

PowerFLAT-5x6

交期

现货

批次

26+

STL130N6F7参数

封装PowerFLAT-5x6
品牌ST(意法半导体)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)2.6nF
工作温度-55℃~+175℃
分类场效应管(MOSFET)
库存3,500
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)125W
栅极电荷量(Qg)42nC@10V
反向传输电容(Crss)115pF

STL130N6F7概述

场效应管(MOSFET) 4.8W; 125W 60V 130A 1个N沟道

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