STL12N3LLH5-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
STL12N3LLH5-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。 器件在高电流应用中表现出优异的导通性能与较低的功率损耗， 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换、电机驱动及各类电子负载控制场景。 其低导通电阻有助于减小系统整体能耗， 提升运行稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
98
货期
现货
STL12N3LLH5-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
STL12N3LLH5-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。 器件在高电流应用中表现出优异的导通性能与较低的功率损耗， 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换、电机驱动及各类电子负载控制场景。 其低导通电阻有助于减小系统整体能耗， 提升运行稳定性。
STL12N3LLH5-HXY特性
暂无产品特性。
STL12N3LLH5-HXY应用领域
暂无应用领域。