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STL125N10F8AG
IC

PowerFLAT5x6

可供量大可议

STL125N10F8AG

是一款100V N沟道增强型功率MOSFET, 采用STripFET F8技术, 具有增强的沟槽栅极结构。 确保了极低导通电阻的卓越品质因数, 同时降低内部电容和栅极电荷, 实现更快、更高效的开关。

品牌

ST

封装

PowerFLAT5x6

库存

15

货期

现货

STL125N10F8AG参数

封装PowerFLAT5x6
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存15

STL125N10F8AG概述

是一款100V N沟道增强型功率MOSFET, 采用STripFET F8技术, 具有增强的沟槽栅极结构。 确保了极低导通电阻的卓越品质因数, 同时降低内部电容和栅极电荷, 实现更快、更高效的开关。

STL125N10F8AG特性

暂无产品特性。

STL125N10F8AG应用领域

暂无应用领域。

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