STL125N10F8AG
IC
PowerFLAT5x6
可供量大可议
STL125N10F8AG
是一款100V N沟道增强型功率MOSFET, 采用STripFET F8技术, 具有增强的沟槽栅极结构。 确保了极低导通电阻的卓越品质因数, 同时降低内部电容和栅极电荷, 实现更快、更高效的开关。
品牌
ST
封装
PowerFLAT5x6
库存
15
货期
现货
STL125N10F8AG参数
| 封装 | PowerFLAT5x6 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
STL125N10F8AG概述
是一款100V N沟道增强型功率MOSFET, 采用STripFET F8技术, 具有增强的沟槽栅极结构。 确保了极低导通电阻的卓越品质因数, 同时降低内部电容和栅极电荷, 实现更快、更高效的开关。
STL125N10F8AG特性
暂无产品特性。
STL125N10F8AG应用领域
暂无应用领域。
