STL120N10F8
IC
PowerFLAT(5x6)
可供量大可议
STL120N10F8
此N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术， 具有增强型沟槽栅极结构。 它可确保极低的导通电阻， 同时降低内部电容和栅极电荷， 实现更快、更高效的开关。
品牌
ST
封装
PowerFLAT(5x6)
库存
4
货期
现货
STL120N10F8参数
| 封装 | PowerFLAT(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
STL120N10F8概述
此N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术， 具有增强型沟槽栅极结构。 它可确保极低的导通电阻， 同时降低内部电容和栅极电荷， 实现更快、更高效的开关。
STL120N10F8特性
暂无产品特性。
STL120N10F8应用领域
暂无应用领域。