STL100NH3LL-HXY

该N沟道MOSFET具有90A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 在栅源电压驱动下可实现低至3.5毫欧的导通电阻， 适用于对导通损耗敏感的高效率电源转换场景。 器件支持最高20V的栅源电压， 确保在多种驱动条件下稳定工作。 其低RDS(ON)特性有助于减少发热， 提升系统整体能效， 适合用于开关电源、电池管理系统及各类中低电压功率控制电路中。