STH60N099DM9-2AG
IC
H2PAK-2
可供量大可议
STH60N099DM9-2AG
这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh DM9技术， 适用于中/高压MOSFET， 具有单位面积极低的导通电阻（RDS(on)）， 并配备快速恢复二极管。 基于硅的DM9技术得益于多漏极制造工艺， 可优化器件结构。 该快速恢复二极管具有极低的反向恢复电荷（Qrr）、反向恢复时间（trr）和导通电阻（RDS(on)）， 使这款快速开关超结功率MOSFET非常适合要求严苛的高效桥接拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器
品牌
ST
封装
H2PAK-2
库存
30
货期
现货
STH60N099DM9-2AG参数
| 封装 | H2PAK-2 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
STH60N099DM9-2AG概述
这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh DM9技术， 适用于中/高压MOSFET， 具有单位面积极低的导通电阻（RDS(on)）， 并配备快速恢复二极管。 基于硅的DM9技术得益于多漏极制造工艺， 可优化器件结构。 该快速恢复二极管具有极低的反向恢复电荷（Qrr）、反向恢复时间（trr）和导通电阻（RDS(on)）， 使这款快速开关超结功率MOSFET非常适合要求严苛的高效桥接拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器
STH60N099DM9-2AG特性
暂无产品特性。
STH60N099DM9-2AG应用领域
暂无应用领域。