STH260N6F6-2
IC
H2PAK-2
可供量大可议
STH260N6F6-2
该器件是采用第6代STripFET DeepGATE技术开发的N沟道功率MOSFET， 具有新的栅极结构。 由此产生的功率MOSFET在所有封装中表现出最低的RDS(on)。
品牌
ST
封装
H2PAK-2
库存
20
货期
现货
STH260N6F6-2参数
| 封装 | H2PAK-2 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
STH260N6F6-2概述
该器件是采用第6代STripFET DeepGATE技术开发的N沟道功率MOSFET， 具有新的栅极结构。 由此产生的功率MOSFET在所有封装中表现出最低的RDS(on)。
STH260N6F6-2特性
暂无产品特性。
STH260N6F6-2应用领域
暂无应用领域。