STH180N10F3-2
IC
H2PAK-2
可供量大可议
STH180N10F3-2
该器件是采用STripFET™ F3技术开发的N沟道功率MOSFET。 其设计旨在将导通电阻和栅极电荷降至最低， 以提供卓越的开关性能。
品牌
ST
封装
H2PAK-2
库存
2
货期
现货
STH180N10F3-2参数
| 封装 | H2PAK-2 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
STH180N10F3-2概述
该器件是采用STripFET™ F3技术开发的N沟道功率MOSFET。 其设计旨在将导通电阻和栅极电荷降至最低， 以提供卓越的开关性能。
STH180N10F3-2特性
暂无产品特性。
STH180N10F3-2应用领域
暂无应用领域。