STGYA50H120DF2
IC
TO-247
可供量大可议
STGYA50H120DF2
IGBT管/模块 1.2kV 535W FS(场截止) 100A TO-247
品牌
ST
封装
TO-247
库存
600
货期
现货
STGYA50H120DF2参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 23+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.6V@50A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC |
| 输出电容(Coes) | 288pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 40ns |
| 导通损耗(Eon) | 2mJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 340ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 600 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 535W |
| 集电极电流(Ic) | 100A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@2mA |
| 输入电容(Cies) | 4.15nF |
| 反向传输电容(Cres) | 104pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 284ns |
| 关断损耗(Eoff) | 2.1mJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STGYA50H120DF2概述
IGBT管/模块 1.2kV 535W FS(场截止) 100A TO-247
STGYA50H120DF2特性
暂无产品特性。
STGYA50H120DF2应用领域
暂无应用领域。