STGWT60H65DFB
IC
TO-3P
可供量大可议
STGWT60H65DFB
IGBT管/模块 650V 375W FS(场截止) 80A
品牌
ST
封装
TO-3P
库存
363
货期
现货
STGWT60H65DFB参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 21+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 240A |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V |
| 栅极电荷量(Qg) | 306nC |
| 输出电容(Coes) | 262pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 66ns； 59ns |
| 导通损耗(Eon) | 1.59mJ； 2.86mJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 60ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 363 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 集电极电流(Ic) | 80A |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V |
| 输入电容(Cies) | 7.792nF |
| 反向传输电容(Cres) | 158pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 210ns； 242ns |
| 关断损耗(Eoff) | 900uJ； 1.255mJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STGWT60H65DFB概述
IGBT管/模块 650V 375W FS(场截止) 80A
STGWT60H65DFB特性
暂无产品特性。
STGWT60H65DFB应用领域
暂无应用领域。