STGWT40H65DFB
IC
TO-247
可供量大可议
STGWT40H65DFB
IGBT-沟槽型场截止-650V-80A-283W-通孔-TO-3P
品牌
ST
封装
TO-247
库存
300
货期
现货
STGWT40H65DFB参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 22+ |
| 安装类型 | 通孔 |
| 栅极电荷 | 210nC |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V， 40A |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 测试条件 | 400V， 40A， 5 欧姆， 15V |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 40ns/142ns |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 300 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80A |
| 输入类型 | 标准 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 160A |
| 开关能量 | 498µJ（开）， 363µJ（关） |
| 功率 - 最大值 | 283W |
| 反向恢复时间 (trr) | 62ns |
| 耗散功率(Pd) | 283W |
| 集电极电流(Ic) | 40A |
STGWT40H65DFB概述
IGBT-沟槽型场截止-650V-80A-283W-通孔-TO-3P
STGWT40H65DFB特性
暂无产品特性。
STGWT40H65DFB应用领域
暂无应用领域。