STGWA8M120DF3
IC
TO-247
可供量大可议
STGWA8M120DF3
IGBT-沟槽型场截止-1200V-16A-167W-通孔-TO-247-长引线
品牌
ST
封装
TO-247
库存
600
货期
现货
STGWA8M120DF3参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@8A, 15V |
| 输入电容(Cies) | 542pF |
| 反向传输电容(Cres) | 21pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 126ns |
| 关断损耗(Eoff) | 370uJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 600 |
| 耗散功率(Pd) | 167W |
| 集电极电流(Ic) | 16A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@500uA |
| 输出电容(Coes) | 74.4pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns |
| 导通损耗(Eon) | 390uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 103ns |
STGWA8M120DF3概述
IGBT-沟槽型场截止-1200V-16A-167W-通孔-TO-247-长引线
STGWA8M120DF3特性
暂无产品特性。
STGWA8M120DF3应用领域
暂无应用领域。