STGWA80H65DFB
IC
TO-247
可供量大可议
STGWA80H65DFB
IGBT-沟槽型场截止-650V-120A-469W-通孔-TO-247-长引线
品牌
ST
封装
TO-247
库存
599
货期
现货
STGWA80H65DFB参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 26+ |
| 耗散功率(Pd) | 469W |
| 集电极电流(Ic) | 120A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA |
| 输入电容(Cies) | 10.524nF |
| 反向传输电容(Cres) | 215pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 280ns |
| 关断损耗(Eoff) | 1.5mJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 599 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@80A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 414nC@15V |
| 输出电容(Coes) | 385pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 84ns |
| 导通损耗(Eon) | 2.1mJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 85ns |
STGWA80H65DFB概述
IGBT-沟槽型场截止-650V-120A-469W-通孔-TO-247-长引线
STGWA80H65DFB特性
暂无产品特性。
STGWA80H65DFB应用领域
暂无应用领域。