STGWA75H65DFB2
IC
TO-247
可供量大可议
STGWA75H65DFB2
IGBT管/模块 650V 357W FS(场截止) 115A TO-247-3
品牌
ST
封装
TO-247
库存
575
货期
现货
STGWA75H65DFB2参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 耗散功率(Pd) | 357W |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 195A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA |
| 输入电容(Cies) | 4.357nF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 100ns |
| 关断损耗(Eoff) | 1.05mJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 575 |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集电极电流(Ic) | 115A |
| 输出电容(Coes) | 264pF |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@75A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 207nC |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 28ns |
| 导通损耗(Eon) | 1.428mJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 88ns |
| 反向传输电容(Cres) | 117pF |
STGWA75H65DFB2概述
IGBT管/模块 650V 357W FS(场截止) 115A TO-247-3
STGWA75H65DFB2特性
暂无产品特性。
STGWA75H65DFB2应用领域
暂无应用领域。