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STGWA40HP65FB2
IC

TO-247

可供量大可议

STGWA40HP65FB2

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT, TO-247长引线封装

品牌

ST

封装

TO-247

库存

17

货期

现货

STGWA40HP65FB2参数

封装TO-247
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
耗散功率(Pd)230W
集电极电流(Ic)72A
栅极阈值电压(Vge(th))5V@1mA
输入电容(Cies)2.3nF
反向传输电容(Cres)64pF
关断损耗(Eoff)410uJ
工作温度-55℃~+175℃
分类IGBT管/模块
库存17
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)650V
集射极饱和电压(VCE(sat))2V@40A, 15V
栅极电荷量(Qg)153nC@15V
输出电容(Coes)122pF
关断延迟时间(Td(off))125ns
反向恢复时间(Trr)140ns

STGWA40HP65FB2概述

IGBT-沟槽型场截止-650V-72A-227W-通孔-TO-247-长引线

STGWA40HP65FB2特性

暂无产品特性。

STGWA40HP65FB2应用领域

暂无应用领域。

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