STGWA40H65DFB2
IC
None
可供量大可议
STGWA40H65DFB2
IGBT
品牌
ST
封装
None
库存
600
货期
现货
STGWA40H65DFB2参数
| 封装 | None |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 24+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@40A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 153nC@15V |
| 输出电容(Coes) | 122pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns |
| 导通损耗(Eon) | 765uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 75ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 600 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 集电极电流(Ic) | 72A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA |
| 输入电容(Cies) | 2.3nF |
| 反向传输电容(Cres) | 64pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 72ns |
| 关断损耗(Eoff) | 410uJ |
STGWA40H65DFB2概述
IGBT
STGWA40H65DFB2特性
暂无产品特性。
STGWA40H65DFB2应用领域
暂无应用领域。