STGWA25H120DF2
IC
TO-247-3
可供量大可议
STGWA25H120DF2
IGBT-沟槽型场截止-1200V-50A-375W-通孔-TO-247-3
品牌
ST
封装
TO-247-3
库存
600
货期
现货
STGWA25H120DF2参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 26+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.6V@25A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC |
| 输出电容(Coes) | 146pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 29ns |
| 导通损耗(Eon) | 600uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 303ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 600 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 集电极电流(Ic) | 50A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.6V@15V, 25A |
| 输入电容(Cies) | 2.01nF |
| 反向传输电容(Cres) | 49pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 130ns |
| 关断损耗(Eoff) | 700uJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STGWA25H120DF2概述
IGBT-沟槽型场截止-1200V-50A-375W-通孔-TO-247-3
STGWA25H120DF2特性
暂无产品特性。
STGWA25H120DF2应用领域
暂无应用领域。