STGW60H65DFB
IC
TO-247AD
可供量大可议
STGW60H65DFB
IGBT-沟槽型场截止-650V-80A-375W-通孔-TO-247
品牌
ST
封装
TO-247AD
库存
1,090
货期
现货
STGW60H65DFB参数
| 封装 | TO-247AD |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 23+ |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 集电极电流(Ic) | 60A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA |
| 输入电容(Cies) | 7.792nF |
| 反向传输电容(Cres) | 158pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 242ns |
| 关断损耗(Eoff) | 900uJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 1,090 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@60A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 306nC@520V |
| 输出电容(Coes) | 262pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 66ns |
| 导通损耗(Eon) | 1.59mJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 60ns |
STGW60H65DFB概述
IGBT-沟槽型场截止-650V-80A-375W-通孔-TO-247
STGW60H65DFB特性
暂无产品特性。
STGW60H65DFB应用领域
暂无应用领域。