STGW40V60F
IC
TO-3PF
可供量大可议
STGW40V60F
IGBT-沟槽型场截止-600V-80A-283W-通孔-TO-247
品牌
ST
封装
TO-3PF
库存
88
货期
现货
STGW40V60F参数
| 封装 | TO-3PF |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 22+ |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 耗散功率(Pd) | 283W |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@40A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 226nC |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 208ns |
| 关断损耗(Eoff) | 411uJ |
| 反向传输电容(Cres) | 180pF |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 88 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集电极电流(Ic) | 80A |
| 输出电容(Coes) | 220pF |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 52ns |
| 导通损耗(Eon) | 456uJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STGW40V60F概述
IGBT-沟槽型场截止-600V-80A-283W-通孔-TO-247
STGW40V60F特性
暂无产品特性。
STGW40V60F应用领域
暂无应用领域。