STGW39NC60VD
IC
TO-247
可供量大可议
STGW39NC60VD
该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺， 在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。
品牌
ST
封装
TO-247
库存
118
货期
现货
STGW39NC60VD参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.4V@30A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 126nC |
| 反向传输电容(Cres) | 298pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 178ns |
| 关断损耗(Eoff) | 537uJ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 118 |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 集电极电流(Ic) | 80A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.75V@1mA |
| 输出电容(Coes) | 2.9nF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 33ns |
| 导通损耗(Eon) | 333uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 45ns |
STGW39NC60VD概述
IGBT管/模块 2.4V@15V, 30A 600V 250W 80A
STGW39NC60VD特性
暂无产品特性。
STGW39NC60VD应用领域
暂无应用领域。