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STGW30NC120HD
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IC

TO-247-3

STGW30NC120HD

IGBT-1200V-60A-220W-通孔-TO-247-3

品牌

ST

封装

TO-247-3

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—

STGW30NC120HD参数

封装TO-247-3
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集射极饱和电压(VCE(sat))2.75V@20A, 15V
栅极电荷量(Qg)110nC@20A, 15V
开启延迟时间(Td(on))29ns
导通损耗(Eon)1.66mJ
反向恢复时间(Trr)152ns
分类IGBT管/模块
库存568
耗散功率(Pd)220W
集电极电流(Ic)60A
栅极阈值电压(Vge(th))3.75V@250uA
输入电容(Cies)25pF@25V
关断延迟时间(Td(off))275ns
关断损耗(Eoff)4.438mJ
工作温度-55℃~+150℃

STGW30NC120HD概述

IGBT-1200V-60A-220W-通孔-TO-247-3

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