STGFW40V60DF
IC
TO-3PFM
可供量大可议
STGFW40V60DF
Transistor: IGBT; 600V; 40A; 98.5W; TO3PF
品牌
ST
封装
TO-3PFM
库存
300
货期
现货
STGFW40V60DF参数
| 封装 | TO-3PFM |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 98.5W |
| 集电极电流(Ic) | 80A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA |
| 输入电容(Cies) | 5.4nF |
| 反向传输电容(Cres) | 180pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 208ns |
| 关断损耗(Eoff) | 411uJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 300 |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@40A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 226nC |
| 输出电容(Coes) | 220pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 52ns |
| 导通损耗(Eon) | 456uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 41ns |
STGFW40V60DF概述
Transistor: IGBT; 600V; 40A; 98.5W; TO3PF
STGFW40V60DF特性
暂无产品特性。
STGFW40V60DF应用领域
暂无应用领域。