STGF30M65DF2
IC
TO-220FP
可供量大可议
STGF30M65DF2
IGBT管/模块 650V 38W FS(场截止) 60A TO-220FP-3
品牌
ST
封装
TO-220FP
库存
1,000
货期
现货
STGF30M65DF2参数
| 封装 | TO-220FP |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 22+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@30A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC |
| 输出电容(Coes) | 143pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 31.6ns |
| 导通损耗(Eon) | 300uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 140ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 1,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 集电极电流(Ic) | 60A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@500uA |
| 输入电容(Cies) | 2.49nF |
| 反向传输电容(Cres) | 46pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 115ns |
| 关断损耗(Eoff) | 960uJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STGF30M65DF2概述
IGBT管/模块 650V 38W FS(场截止) 60A TO-220FP-3
STGF30M65DF2特性
暂无产品特性。
STGF30M65DF2应用领域
暂无应用领域。