STGF20M65DF2
IC
TO-220F-3
可供量大可议
STGF20M65DF2
IGBT管/模块 650V 32.6W FS(场截止) 40A
品牌
ST
封装
TO-220F-3
库存
508
货期
现货
STGF20M65DF2参数
| 封装 | TO-220F-3 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 24+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 80A |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V |
| 输入电容(Cies) | 1.688nF |
| 反向传输电容(Cres) | 35pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 108ns |
| 关断损耗(Eoff) | 560uJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 508 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 32.6W |
| 集电极电流(Ic) | 40A |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V |
| 输出电容(Coes) | 95pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns |
| 导通损耗(Eon) | 140uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 166ns |
STGF20M65DF2概述
IGBT管/模块 650V 32.6W FS(场截止) 40A
STGF20M65DF2特性
暂无产品特性。
STGF20M65DF2应用领域
暂无应用领域。