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STGF19NC60KD
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IC

TO-220F-3

STGF19NC60KD

IGBT管/模块 600V 32W 16A 0.165mJ

品牌

ST

封装

TO-220F-3

交期

现货

批次

26+

STGF19NC60KD参数

封装TO-220F-3
品牌ST(意法半导体)
批次26+
耗散功率(Pd)32W
集电极电流(Ic)16A
集电极截止电流(Ices)150uA
栅极阈值电压(Vge(th))6.5V
输入电容(Cies)1.17nF
反向传输电容(Cres)28pF
关断延迟时间(Td(off))105ns
关断损耗(Eoff)255uJ
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
分类IGBT管/模块
库存100
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)600V
集电极脉冲电流(Icm)75A
集射极饱和电压(VCE(sat))2V
栅极电荷量(Qg)55nC@15V
输出电容(Coes)127pF
开启延迟时间(Td(on))30ns
导通损耗(Eon)165uJ
反向恢复时间(Trr)31ns

STGF19NC60KD概述

IGBT管/模块 600V 32W 16A 0.165mJ

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