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STGF10NB60SD
IC

TO-220FP

可供量大可议

STGF10NB60SD

IGBT管/模块 1.75V@15V, 10A 600V 25W 23A

品牌

ST

封装

TO-220FP

库存

993

货期

现货

STGF10NB60SD参数

封装TO-220FP
品牌ST(意法半导体)
批次23+
耗散功率(Pd)25W
集电极电流(Ic)23A
栅极阈值电压(Vge(th))2.5V@0.25mA
开启延迟时间(Td(on))700ns
导通损耗(Eon)600uJ
反向恢复时间(Trr)37ns
分类IGBT管/模块
库存993
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)600V
集射极饱和电压(VCE(sat))1.75V@10A, 15V
栅极电荷量(Qg)33nC
关断延迟时间(Td(off))1.2us
关断损耗(Eoff)5mJ
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STGF10NB60SD概述

IGBT管/模块 1.75V@15V, 10A 600V 25W 23A

STGF10NB60SD特性

暂无产品特性。

STGF10NB60SD应用领域

暂无应用领域。

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