STGF10M65DF2
自营可供
IC
TO-220FP
STGF10M65DF2
Transistor: IGBT; 650V; 10A; 30W
品牌
ST
封装
TO-220FP
交期
现货
批次
25+
STGF10M65DF2参数
| 封装 | TO-220FP |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 25+ |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 集电极电流(Ic) | 20A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@250uA |
| 输入电容(Cies) | 840pF |
| 反向传输电容(Cres) | 16pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 91ns |
| 关断损耗(Eoff) | 270uJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 768 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@10A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC |
| 输出电容(Coes) | 63pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns |
| 导通损耗(Eon) | 120uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 96ns |
STGF10M65DF2概述
Transistor: IGBT; 650V; 10A; 30W