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STGD6NC60HDT4
IC

DPAK

可供量大可议

STGD6NC60HDT4

IGBT管/模块 2.5V@15V, 3A 600V 56W 15A

品牌

ST

封装

DPAK

库存

3

货期

现货

STGD6NC60HDT4参数

封装DPAK
品牌ST(意法半导体)
批次18+
耗散功率(Pd)56W
集电极电流(Ic)15A
栅极阈值电压(Vge(th))3.75V@250uA
输入电容(Cies)205pF
反向传输电容(Cres)5.5pF
关断延迟时间(Td(off))76ns
关断损耗(Eoff)68uJ
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
分类IGBT管/模块
库存3
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)600V
集射极饱和电压(VCE(sat))2.5V@3A, 15V
栅极电荷量(Qg)13.6nC
输出电容(Coes)32pF
开启延迟时间(Td(on))12ns
导通损耗(Eon)20uJ
反向恢复时间(Trr)21ns

STGD6NC60HDT4概述

IGBT管/模块 2.5V@15V, 3A 600V 56W 15A

STGD6NC60HDT4特性

暂无产品特性。

STGD6NC60HDT4应用领域

暂无应用领域。

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