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STGD18N40LZT4
IC

DPAK

可供量大可议

STGD18N40LZT4

IGBT管/模块 1.7V@4.5V, 10A 420V 125W 25A

品牌

ST

封装

DPAK

库存

500

货期

现货

STGD18N40LZT4参数

封装DPAK
品牌ST(意法半导体)
批次24+
耗散功率(Pd)150W
集电极电流(Ic)30A
栅极阈值电压(Vge(th))1.2V@1mA
输入电容(Cies)490pF
反向传输电容(Cres)5pF
关断延迟时间(Td(off))13.5us
分类IGBT管/模块
库存500
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)420V
集射极饱和电压(VCE(sat))1.7V@10A, 4.5V
栅极电荷量(Qg)29nC
输出电容(Coes)90pF
开启延迟时间(Td(on))650ns
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

STGD18N40LZT4概述

IGBT管/模块 1.7V@4.5V, 10A 420V 125W 25A

STGD18N40LZT4特性

暂无产品特性。

STGD18N40LZT4应用领域

暂无应用领域。

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