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STGB25N40LZAG
IC

D2PAK

可供量大可议

STGB25N40LZAG

汽车级400 V内部钳制IGBT ESCIS 320 mJ

品牌

ST

封装

D2PAK

库存

237

货期

现货

STGB25N40LZAG参数

封装D2PAK
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)400V
集电极脉冲电流(Icm)50A
集射极饱和电压(VCE(sat))1.1V
栅极电荷量(Qg)26nC@13V
输出电容(Coes)87pF
开启延迟时间(Td(on))1.1us
工作温度-55℃~+175℃
分类IGBT管/模块
库存237
耗散功率(Pd)150W
集电极电流(Ic)25A
集电极截止电流(Ices)20uA
栅极阈值电压(Vge(th))1.7V
输入电容(Cies)1.011nF
反向传输电容(Cres)14pF
关断延迟时间(Td(off))7.3us

STGB25N40LZAG概述

IGBT-435V-25A-150W-表面贴装型-D²PAK

STGB25N40LZAG特性

暂无产品特性。

STGB25N40LZAG应用领域

暂无应用领域。

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