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STGB20M65DF2
IC

D2PAK

可供量大可议

STGB20M65DF2

IGBT管/模块 650V 166W FS(场截止) 40A D2PAK

Brand

ST

Package

D2PAK

Stock

1,891

货期

现货

STGB20M65DF2Parameters

封装D2PAK
品牌ST(意法半导体)
批次24+
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)650V
集射极饱和电压(VCE(sat))2V@20A, 15V
栅极电荷量(Qg)63nC@15V
开启延迟时间(Td(on))26ns
导通损耗(Eon)140uJ
反向恢复时间(Trr)166ns
分类IGBT管/模块
库存1,891
MOQ / SPQ1 / 1
耗散功率(Pd)166W
集电极电流(Ic)40A
栅极阈值电压(Vge(th))5V@0.5mA
输入电容(Cies)1.688nF@25V
关断延迟时间(Td(off))108ns
关断损耗(Eoff)560uJ
工作温度-55℃~+175℃

STGB20M65DF2概述

IGBT管/模块 650V 166W FS(场截止) 40A D2PAK

STGB20M65DF2特性

暂无产品特性。

STGB20M65DF2应用领域

暂无应用领域。

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