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STGB19NC60KDT4
自营可供
IC

D2PAK

STGB19NC60KDT4

IGBT管/模块 2.75V@15V, 12A 600V 125W 35A

品牌

ST

封装

D2PAK

交期

现货

批次

22+

STGB19NC60KDT4参数

封装D2PAK
品牌ST(意法半导体)
批次22+
耗散功率(Pd)125W
集电极电流(Ic)35A
栅极阈值电压(Vge(th))2.75V@15V, 12A
输入电容(Cies)1.17nF
反向传输电容(Cres)28pF
关断延迟时间(Td(off))105ns
关断损耗(Eoff)255uJ
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
分类IGBT管/模块
库存454
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)600V
集射极饱和电压(VCE(sat))2.75V@12A, 15V
栅极电荷量(Qg)55nC
输出电容(Coes)127pF
开启延迟时间(Td(on))30ns
导通损耗(Eon)165uJ
反向恢复时间(Trr)31ns

STGB19NC60KDT4概述

IGBT管/模块 2.75V@15V, 12A 600V 125W 35A

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